使用双面UV可固化胶膜的激光与等离子体蚀刻晶圆切割

摘要

本发明揭示使用UV可固化胶膜进行激光与等离子体蚀刻的晶圆切割法。形成掩模以覆盖该些形成在晶圆上的集成电路(IC)和任何用于为IC提供连接界面的凸块。利用双面UV可固化胶膜使该半导体晶圆与载体基板耦合。利用激光划线法对该掩模进行图案化以提供具有缝隙的图案化掩模。该图案暴露出位在多个薄膜层(该等薄膜层形成集成电路)下方之该半导体晶圆的多个区域。随后通过该图案化掩模中的缝隙而蚀刻该半导体晶圆以切割该等IC。利用UV照射穿过该载体使该UV可固化胶膜部分固化。接着例如利用取放机个别地使该等已切割的IC脱离该部分固化的胶膜，且该部分固化的胶膜仍附着于该载体基板。随后可进一步固化该UV可固化胶膜以从该载体基板上完全去除该膜。

主权项

一种切割包含多个集成电路的半导体晶圆的方法，所述方法包括以下步骤：使用双面UV可固化胶膜使所述半导体晶圆与载体基板耦合；于所述半导体晶圆上方形成掩模，所述掩模覆盖且保护所述集成电路；使用激光划线工艺对所述掩模进行图案化以提供具有缝隙的图案化掩模，而暴露出所述半导体晶圆介于所述集成电路之间的区域；及通过所述图案化掩模中的所述缝隙而蚀刻所述半导体晶圆以形成已切割的集成电路；其中藉由暴露于UV光下使所述UV可固化胶膜的第一面固化而允许所述已切割的集成电路脱离所述UV可固化胶膜的已固化面。