| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。 | ||
| 申请公布号 | CN104380474A | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201380033025.5 | 申请日期 | 2013.06.12 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 内田诚一;小川康行;宫本忠芳;伊东一笃;高丸泰;中泽淳;宫本光伸 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;G02F1/1343(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;G09F9/30(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其具有基板和在所述基板上形成的薄膜晶体管，该半导体装置的特征在于：所述薄膜晶体管具有：在所述基板上形成的栅极电极；在所述栅极电极上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的氧化物半导体层；和与所述氧化物半导体层电连接的源极电极和漏极电极，所述半导体装置还具有：与所述栅极电极由相同的导电膜形成的栅极连接层；与所述源极电极由相同的导电膜形成的源极连接层；与所述漏极电极电连接的第一透明电极；在所述源极电极和所述漏极电极上形成的层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成的第二透明电极；和与所述第二透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层，所述源极连接层经由所述透明连接层与所述栅极连接层电连接，所述氧化物半导体层和所述第一透明电极由相同的氧化物膜形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||