一种MEMS器件集成工艺

摘要

本申请一种MEMS器件集成工艺，涉及半导体器件制造领域，通过直接将MEMS芯片与其他半导体芯片进行键合，以实现MEMS芯片与其他半导体芯片之间的连接，并利用硅通孔工艺制备互连线，进而实现键合芯片与外部器件结构的连接，进而有效减少了芯片间互连的连线，在降低器件失效几率的同时，还节省了器件封装体积，降低器件功耗以及改善了键合芯片发热的状况，即在有效改善器件性能的同时，还大大提高了产品的良率。

主权项

一种MEMS器件集成工艺，其特征在于，所述集成工艺包括：提供制备有MEMS器件的第一晶圆和待键合的第二晶圆，且所述第二晶圆上设置有半导体器件和金属互连层；将所述第一晶圆键合至所述第二晶圆上，以将所述MEMS器件与所述半导体器件电连接；对所述第二晶圆进行减薄工艺后，制备一介电质膜覆盖所述第二晶圆减薄的表面上；采用第一刻蚀工艺刻蚀所述介电质膜至所述互连层，以形成通孔；并于所述通孔中填充第一金属，以于所述通孔中形成金属互连线；采用第二刻蚀工艺刻蚀所述介电质膜并停止在该介电质膜中，以形成环绕所述金属互连线的沟槽；于所述沟槽中填充第二金属，以形成用于与外部电连接的金属垫。