一种晶体硅太阳电池钝化膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池钝化膜的制备方法，将硅片放入石英反应腔室，控制反应腔室的温度、压强设定在100Pa，向其中通入氮气并利用射频电源对硅片表面进行预处理15min，然后通入氨气和硅烷生长Si₃N₄层，最后通氮气降温即可。与现有技术相比，本发明通过在硅片表面沉积两层折射率不同的氮化硅薄膜提高电池的钝化效果，有效提升了太阳电池的光电转化效率；同时通过在硅片和上层高致密性氮化硅薄膜之前沉积高折射率的氮化硅薄膜，缓解了硅片和氮化硅薄膜的应力问题，降低了硅片在后续金属化和热处理过程中的翘曲度，有效提升了太阳电池的品质。

主权项

一种晶体硅太阳电池钝化膜的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：(1)将硅片放入石英反应腔室，控制反应腔室的温度为300℃，反应腔室内压强设定在100Pa，并向其中通入氮气；(2)将反应腔室温度均匀升至450℃，稳定后关闭氮气，再通入流量为3L/min的氨气，打开反应腔室射频电源对硅片表面进行预处理15min；(3)将氨气流量调整为800sccm，再通入流量为650sccm的硅烷，反应5min，在表面生长一层Si₃N₄层；(4)将氨气流量调整为600sccm，硅烷流量调整到400sccm，反应10min，在表面再生长一层Si₃N₄层；(5)关闭通入的硅烷和氨气，通入流量为5L/min的氮气，将反应腔室内压强恢复至标准大气压，待反应腔室降低至100℃以下，打开腔室取出硅片即可；步骤(3)中所述的Si₃N₄层的厚度为20～40nm，硅烷和氨气的流量比为13:16，步骤(4)中所述的Si₃N₄层的厚度为60～70nm，硅烷和氨气的流量比为2:3。