发明名称 覆晶LED芯片的制作方法
摘要 本发明公开了覆晶LED芯片的制作方法。通过先沿相邻的覆晶LED芯片的分界线对光学薄膜划切后再裂片,或者先沿相邻的覆晶LED芯片的分界线在蓝宝石基板的出光面上划切以形成凹槽后再形成光学薄膜,本发明的覆晶LED芯片的制作方法,能够减小光学薄膜在裂片时受到的应力,从而保证光学薄膜不会在裂片时碎裂或剥落。
申请公布号 CN104377276A 申请公布日期 2015.02.25
申请号 CN201310359573.9 申请日期 2013.08.16
申请人 刘艳 发明人 吴裕朝;吴冠伟;刘艳;张诒安
分类号 H01L33/00(2010.01)I 主分类号 H01L33/00(2010.01)I
代理机构 北京格罗巴尔知识产权代理事务所(普通合伙) 11406 代理人 方志炜
主权项 一种覆晶LED芯片的制作方法,其特征在于,包括:在蓝宝石基板的出光面上形成至少一层光学薄膜;在所述蓝宝石基板的外延面上形成至少两个覆晶LED芯片;沿相邻的所述覆晶LED芯片的分界线,对所述光学薄膜进行划切;以及沿所述分界线对所述蓝宝石基板进行劈裂,以使所述相邻的覆晶LED芯片分离。
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