包埋层水阻障性的改进

摘要

揭示了一种用于将氮化硅材料层沉积在基板上的方法，包括：将所述基板置放在处理室中；传送由所述材料层的前驱物组成的混合物，并传送氢气至所述处理室中，以改善所述材料层的水阻障效能。控制所述基板温度至约100℃或以下的温度；在所述处理室中产生等离子体；以及沉积所述材料层于所述基板上。还揭示了一种用于沉积包括材料层和诸如非晶形碳之类的低介电常数材料层的多层的方法。

主权项

一种在基板上沉积材料层的方法，包含：将该基板置放在处理室中；传送用于该材料层的前驱物的混合物，其中用于该材料层的前驱物包括选自由硅烷、SiF₄、Si₂H₆及其的组合所组成的群组中的化合物，然后传送氢气至该处理室中，以改善该材料层的水阻障效能；控制该基板温度至100℃或以下的温度；在该处理室中产生等离子体；及沉积该材料层于该基板上，其中该材料层具有平方根或更低的表面粗糙度测量。