| 发明名称 | 多栅III-V族量子阱结构 | ||
| 摘要 | 形成微电子结构的方法被描述。那些方法的实施例包括在衬底上形成III-V三栅鳍、围绕III-V三栅鳍形成包层材料和围绕包层材料形成hik栅电介质。 | ||
| 申请公布号 | CN102714179B | 申请公布日期 | 2015.02.25 |
| 申请号 | CN201080060068.9 | 申请日期 | 2010.12.08 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | R.皮拉里塞蒂;J.卡瓦列罗斯;N.穆克赫吉;M.拉多萨夫耶维奇;R.S.乔;U.沙;G.德维;T.拉克施特;M.V.梅茨 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 姜冰;王忠忠 |
| 主权项 | 一种形成微电子结构的方法，包括： 在衬底上形成III‑V族三栅鳍，其中形成所述III‑V族三栅鳍进一步包括在所述III‑V族三栅鳍的顶表面上形成具有delta掺杂的顶壁垒；和 在所述III‑V族三栅鳍上形成高k电介质。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||