发明名称 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
摘要 <p>ドライエッチング装置1は基板5を搬送するトレイ3を備える。トレイ3には3枚の基板5を収容可能な貫通孔である基板収容孔4A〜4Cが設けられている。基板5は基板収容孔4A〜4Cの孔壁から突出する基板支持部11により支持される。プラズマを発生させるチャンバ2内にはステージ21が設けられている。ステージ21はトレイ3の下面から基板収容孔4A〜4Cに挿入され、かつその上端面である基板載置面28に基板支持部11から受け渡された基板の5下面が載置される基板載置部27A〜27Cを備える。角型基板に対する高い形状制御性と良好な生産性の両方を、装置の大型化を抑制しつつ実現できる。</p>
申请公布号 JPWO2013014860(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130525555 申请日期 2012.06.29
申请人 发明人
分类号 H01L21/683;H01L21/3065;H01L21/673;H01L31/04 主分类号 H01L21/683
代理机构 代理人
主权项
地址