| 摘要 |
<p>炭化珪素半導体素子は、第１導電型のドリフト層上に位置する第２導電型のボディ領域と、ボディ領域上に位置する第１導電型の不純物領域と、ボディ領域及び不純物領域を貫通し、ドリフト層に達するトレンチと、トレンチの表面上に配置されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極とを備え、トレンチの表面は、第１の側面と、第１の側面と対向する第２の側面とを含み、ボディ領域のうち第１の側面に位置する部分の少なくとも一部の第２導電型のドーパント濃度は、ボディ領域のうち第２の側面に位置する部分の第２導電型のドーパント濃度よりも大きい。</p> |
