| 摘要 |
本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナＡｌ２Ｏ３を９９．５質量％以上、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を０．５質量％未満含み、前記焼結助剤由来成分はナトリウムを含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のナトリウムは酸化ナトリウムＮａ２Ｏに換算した質量で前記アルミナ基板１００質量％中に０．００１〜０．１質量％含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が１２μｍ以下であり、ボイド平均径が１０μｍ以下であり、ビッカース硬度が１５００以上である。 |
