炭化珪素基板、半導体装置およびこれらの製造方法

摘要

オン抵抗を低減して半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な炭化珪素基板（１）は、単結晶炭化珪素からなり、一方の主面（１Ａ）には、硫黄原子が６０?１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以上であって２０００?１０１０ａｔｏｍｓ／ｃｍ２以下の割合で存在しており、かつ酸素原子が３ａｔ％以上であって３０ａｔ％以下の割合で存在している。