| 摘要 |
<p>回り込み電流によるメモリセルに含まれるメモリ素子の抵抗値の検知感度低下を抑制することができるクロスポイント型不揮発性記憶装置を提供する。クロスポイント型不揮発性記憶装置は、複数のワード線と直交する複数のビット線と、その立体交差点に配置された電気信号に応じて可逆的に２つ以上の状態に抵抗値が変化するメモリセルで構成されたクロスポイントセルアレイ（１）と、ワード線を共通にしてメモリセルの高抵抗状態での抵抗値より高い抵抗値を有するオフセット検知セルを含んで構成されたオフセット検知セルアレイ（２Ｅ）と、クロスポイントセルアレイ（１）の選択ビット線に流れる電流で選択メモリセルの抵抗状態を判別する読み出し回路（センスアンプ（７）等）と、読み出し動作の期間において、オフセット検知セルアレイに電流を供給する電流源（６）とを有する。</p> |
