| 摘要 |
<p>本発明の酸化カーボン薄膜の製造方法は、カーボン薄膜と、カーボン薄膜に接するとともにＣｕ２ＯおよびＣｕＯの混合体を含む銅酸化物とを準備する第１のステップと；カーボン薄膜と銅酸化物との間にカーボン薄膜側を正とする電圧または電流を印加することにより、カーボン薄膜における銅酸化物と接する部分を酸化させて酸化カーボンにより構成される酸化部に変化させ、酸化部を有する酸化カーボン薄膜を形成する第２のステップと；を含む。この製造方法は、グラフェンをはじめとするカーボン薄膜に対してナノメートルオーダーのパターンを形成しうる方法であって、電子デバイスを製造するためのプロセス技術としての汎用的な応用が可能である。</p> |
