| 摘要 |
<p>製造が容易で優れた冷却性能を備える半導体装置を提供すること。セラミック基板３０，３３の一面に銅回路基板３２，３４が接合され、他面に銅板３１，３５が接合された一対の絶縁基板１７，１９と、予め信号ピン２２及びリード電極２３，２４がインサート成形された板状の樹脂ケース１５と、ＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３とを備え、樹脂ケース１５が表面１５Ａ及び裏面１５Ｂを貫通する開口部２１を備え、この開口部２１にＩＧＢＴチップ１１及びＦＷＤチップ１３を並べて配置し、絶縁基板１７，１９の銅板３１，３４が露出するように、一対の絶縁基板１７，１９によりＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３及び樹脂ケース１５を挟み込んだ状態で、当該ＩＧＢＴチップ１１、ＦＷＤチップ１３と、絶縁基板１７，１９の銅回路基板３２，３４とがハンダ接合された。</p> |
