发明名称 抵抗変化素子の製造方法およびその製造装置
摘要 <p>【課題】所望の抵抗率を有する金属酸化物層を精度よく形成することができる抵抗変化素子の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態に係る抵抗変化素子の製造方法は、第1の抵抗率を有する第1の金属酸化物を形成する工程と、上記第1の抵抗率とは異なる第2の抵抗率を有する第2の金属酸化物を形成する工程とを含む。上記第1の金属酸化物は、金属の酸化物からなる第1のターゲットをスパッタしつつ、上記金属からなる第2のターゲットを第1の電力でスパッタすることで、基板上に形成される。上記第2の金属酸化物層は、第1のターゲットをスパッタしつつ、上記第2のターゲットを上記第1の電力と異なる第2の電力でスパッタすることで、上記第1の金属酸化物層上に形成される。【選択図】図1</p>
申请公布号 JPWO2012169194(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130519388 申请日期 2012.06.07
申请人 发明人
分类号 H01L27/105;C23C14/08;C23C14/34 主分类号 H01L27/105
代理机构 代理人
主权项
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