窒化物半導体発光素子およびその製造方法

摘要

窒化物系半導体発光素子は、成長面１２がｍ面であるｐ型半導体領域２５を有する窒化物系半導体積層構造２０と、ＡｌdＧａeＮ層２５上に設けられた電極３０とを備えた窒化物半導体発光素子であって、ＡｌdＧａeＮ層２５は、ＧａＮ系半導体から形成されており、電極３０は、Ａｇを主成分とし、ＭｇおよびＺｎの少なくとも一方とＧｅとを含む。