チタン及びシリコン含有リソグラフィー用薄膜形成組成物

摘要

【課題】半導体装置の製造に用いるレジスト下層膜等を形成するための薄膜形成組成物を提供することである。また、ＥＵＶリソグラフィーにおいて好ましくないＵＶ光がレジスト層に到達する前に、レジスト上層に存在する薄膜で効率よく吸収するレジスト上層膜や、更にＥＵＶレジスト用下層膜（ハードマスク）や、更にリバース材料、更に溶剤現像用レジストの下層膜を提供することである。【解決手段】下記式（１）：【化１】で表される化合物、チタンキレート化合物、及び加水分解性チタンダイマーからなる群から選ばれるチタン化合物（Ａ）と、下記式（２）：【化２】で表されるシリコン化合物（Ｂ）との混合物、その混合物の加水分解物、又はその混合物の加水分解縮合物を含む組成物であって、該組成物中のＴｉ原子とＳｉ原子に換算した合計モル数に対してＴｉ原子のモル数が５０％乃至９０％である、リソグラフィー工程でレジストと共に用いる薄膜形成組成物。【選択図】図１