发明名称 メモリアクセス制御装置、及び製造方法
摘要 本発明に係るメモリアクセス制御装置は、所定長のビット列における1以上のビット位置を示すビット位置情報を記憶するためのビット位置情報記憶部と、論理アドレスによって指定される記憶領域の範囲のビット数よりも多いビット数のビット列を、所定長単位でメモリから読み出す試みを行う読出部と、読出部の行う読み出しの試みによってメモリから取り出されたビット列から、所定長単位で、ビット位置情報記憶部に記憶されるビット位置情報によって示されるビット位置のビットを抽出するビット列抽出部とを備える。
申请公布号 JPWO2013005355(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130505007 申请日期 2012.02.21
申请人 パナソニック株式会社 发明人 森本 高志;橋本 隆
分类号 G06F12/16 主分类号 G06F12/16
代理机构 代理人
主权项
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