| 摘要 |
パワー半導体デバイスのセンス端子が電流検出端子に接続された電流補正部の電流-電圧変換回路でセンス電流を電圧に変換して検出する。その一方、パワー半導体デバイスの近傍の温度を温度検出部で検出し、検出された温度を基に補正演算部で温度による特性の違いを補正するための所定の演算を施すことにより可変電圧源に制御信号を出力する。出力された制御信号により可変電圧源は出力電圧を変更し、変更された電圧値によりパワー半導体デバイスのセンス端子の電位を調整する。これによりパワー半導体デバイスのメイン領域とセンス領域との特性の差を補正する。 |
