| 摘要 |
<p>ＴＦＴ基板では、基板１０１１上にゲート電極１０１２ａ，１０１２ｂが形成され、その上が絶縁層１０１３により被覆されている。絶縁層１０１３上には、Ｙ軸方向に互いに間隔をあけた状態でソース電極１０１４ａ，１０１４ｂとドレイン電極１０１４ｃ，１０１４ｄと、接続配線１０１５が形成されている。接続配線１０１５は、ドレイン電極１０１２ａと接続されている。絶縁層１０１３上には、電極１０１４ａ〜１０１４ｄ，１０１５の各一部が露出するように開口部１０１６ａ〜１０１６ｃが開けられた隔壁１０１６が形成されている。隔壁１０１６における開口部１０１６ｂ，１０１６ｃを臨む側面部は斜面になっており、側面部１０１６ｅ，１０１６ｆは、他の側面部１０１６ｄ，１０１６ｇ，１０１６ｈ〜１０１６ｋよりも緩やかな傾斜を以って形成されている。</p> |
