半導体装置の製造方法

摘要

シリコン基板（３）上にシリコン酸化膜（４）を介してシリコン層（５）が設けられたＳＯＩ基板（６）を形成する。次に、シリコン層（５）の表面に複数の半導体素子（８）を形成する。次に、絶縁性基板（１０）の表面に配線（１１）を形成する。次に、複数の半導体素子（８）と配線（１１）を接続するように、ＳＯＩ基板（６）と絶縁性基板（１０）を貼り合わせる。次に、シリコン基板（３）に水素イオンと希ガスイオンの少なくとも一方を注入して脆化層（１２）を形成する。次に、脆化層（１２）を境にしてシリコン基板（３）の一部を剥離する。