| 摘要 |
本発明により、歩留まりに優れた半導体装置が提供される。本発明の半導体装置（１０）は、基材（ダイパット）（２）と、半導体素子（３）と、基材および半導体素子（３）の間に介在し、両者を接着する接着層（１）と、を備える。接着層（１）中に熱伝導性フィラー（８）を含有している。この半導体装置（１０）は、接着層（１）中に熱伝導性フィラー（８）が分散しており、接着層（１）全体中の熱伝導性フィラー（８）の含有率をＣとし、接着層（１）の半導体素子（３）側の界面から深さ２μｍまでにわたる領域１における熱伝導性フィラー（８）の含有率をＣ１とし、接着層１の基材（ダイパット）（２）側の界面から深さ２μｍまでにわたる領域２における熱伝導性フィラー（８）の含有率をＣ２としたとき、Ｃ１＜Ｃ、かつ、Ｃ２＜Ｃを満たすように特定されている。 |
