電力用半導体モジュール

摘要

Ｓｉ半導体素子とワイドバンドギャップ半導体素子とを同一の電力用半導体モジュール内に配置する場合、ワイドバンドギャップ半導体素子の温度上昇を低く抑え、ワイドバンドギャップ半導体素子のチップ総面積の増大を抑え、低コストで製造できる電力用半導体モジュールを得る。Ｓｉ製スイッチング素子（４）が電力用半導体モジュール（１００）の領域に配置され、ＳｉＣ製ダイオード素子（５）が電力用半導体モジュール（１００）の領域の両側または領域を囲む周辺部に配置される。