发明名称 |
酸化物超電導薄膜、超電導限流器及び酸化物超電導薄膜の製造方法 |
摘要 |
Jc特性を向上しつつ、n値特性の低下を抑制する。単結晶構造を有し、当該単結晶構造の結晶面(32A)と基板主面(32B)が角度を有する基板(32)と、基板主面(32B)上に形成され、結晶面(32A)に対して垂直方向に軸配向した中間層(34)と、当該中間層(34)上に形成され、中間層表面に対して垂直方向にc軸配向した酸化物超電導体を主成分として含有する超電導層(36)と、を備える。 |
申请公布号 |
JPWO2012165504(A1) |
申请公布日期 |
2015.02.23 |
申请号 |
JP20130518137 |
申请日期 |
2012.05.30 |
申请人 |
古河電気工業株式会社;独立行政法人産業技術総合研究所 |
发明人 |
中尾 健吾;笠原 甫;松井 正和;松井 則夫;江戸 直人;熊谷 俊弥;真部 高明;相馬 貢 |
分类号 |
C30B29/22 |
主分类号 |
C30B29/22 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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