发明名称 半導体層の製造方法、光電変換装置の製造方法および半導体原料
摘要 <p>本発明は、光電変換効率の高い半導体層およびそれを用いた光電変換装置を提供する。本発明の一実施形態に係る半導体層の製造方法は、金属元素および加熱によって酸素を発生する物質を含む皮膜を形成する工程と、該皮膜を加熱して前記物質から酸素を発生させる工程と、前記金属元素とカルコゲン元素とを反応させることによって、前記皮膜から金属カルコゲナイドを含む半導体層を形成する工程とを具備する。</p>
申请公布号 JPWO2013002057(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130522763 申请日期 2012.06.18
申请人 发明人
分类号 H01L21/368;H01L31/06 主分类号 H01L21/368
代理机构 代理人
主权项
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