窒化物半導体装置およびその製造方法

摘要

基板と、基板の上に形成された第1の窒化物半導体層１と、第１の窒化物半導体層1の上に積層され、該第1の窒化物半導体層1と比べてバンドギャップが大きく、底部が第1の窒化物半導体層1に達するように貫通したリセス部が開けられた第2の窒化物半導体層2と、リセス部11の内壁と第2の窒化物半導体層2を覆うように積層され、第1の窒化物半導体層1と比べてバンドギャップが大きい第3の窒化物半導体層12と、リセス部11の上層で第3の窒化物半導体層12上に形成されたゲート電極5と、ゲート電極5の両側方にそれぞれ形成された第1のオーミック電極4a及び第2のオーミック電極4bを備える。