| 摘要 |
<p>微細化しても十分なオン電流を確保できるとともに、漏れ電流を小さくするために高いオン／オフ電流比を持つ双方向型の電流制御素子と高速動作が可能なバイポーラ型の抵抗変化素子とを備えた不揮発性半導体記憶素子を提供する。その不揮発性半導体記憶素子は、第１電極（１０２）と抵抗変化層（１０３）と第２電極（１０４）とで構成され、第１電極（１０２）と第２電極（１０４）との間に印加される電気パルスの極性に応じて抵抗値が変化する抵抗変化素子（１２１）と、抵抗変化素子（１２１）と電気的に接続され、双方向に電流を流す非線形の電流・電圧特性を有する電流制御素子（１２２）とを備え、電流制御素子（１２２）は、第１電流制御素子電極（１０６）と、第１の半導体層（１０７）と、第２電流制御素子電極（１０８）とがこの順で積層された構成を有するとともに、第１電流制御素子電極（１０６）、第１の半導体層（１０７）および第２電流制御素子電極（１０８）の側面を覆う第２の半導体層（１０９）を有する。</p> |
