| 摘要 |
<p>本発明の膜構造体（カーボン−絶縁膜構造体）は、カーボンと、当該カーボン上に配置された、フッ素が添加された酸化マグネシウムにより構成される絶縁膜とを備える。酸化マグネシウムにおけるフッ素の添加量は、０．００４９原子パーセント以上０．１５０８原子パーセント以下である。この膜構造体は、グラフェンをはじめとするカーボンを使用した電子デバイス、例えばスピンデバイス、の実現を助ける。この膜構造体は、例えば、酸化マグネシウムとフッ化マグネシウムとを含むターゲットを用いたスパッタリングにより形成される。</p> |
