| 摘要 |
本発明に係る固体撮像装置は、半導体基板（１０１）の上方に形成された第１電極（１１３）と、第１電極（１１３）上に形成され、光を信号電荷に光電変換する光電変換膜（１１４）と、光電変換膜（１１４）上に形成された第２電極（１１５）と、第１電極（１１３）に電気的に接続されており、光電変換膜（１１４）により光電変換された信号電荷を蓄積する電荷蓄積領域（１０４）と、電荷蓄積領域（１０４）に蓄積されている信号電荷を増幅する増幅トランジスタ（１０８ａ）と、電荷蓄積領域（１０４）をリセットするリセットゲート電極と、第１電極（１１３）と電荷蓄積領域（１０４）とを電気的に接続するために用いられ、電荷蓄積領域（１０４）に直接接する、半導体材料で構成されているコンタクトプラグ（１０７）とを備える。 |
