半導体発光素子

摘要

基板上に、ｎ側半導体層、活性層及びｐ側半導体層がこの順に積層された半導体発光素子であって、前記活性層は、複数の障壁層と該障壁層に隣接する複数の井戸層とを含んで構成された多重量子井戸構造を有し、前記障壁層のうちの前記ｐ側半導体層に最も近い側に配置された最終障壁層と、該最終障壁層に井戸層を介して隣接する１以上の障壁層とが、前記ｎ側半導体層に近い側に配置する障壁層よりも厚膜である半導体発光素子。