发明名称 直流絶縁型の半導体リレー装置
摘要 本装置(1)は、リレー駆動用の交流信号を入力する信号入力部(2)と、交流信号のうち直流電流を遮断する直流絶縁部材(3)と、直流電流遮断後の信号電圧を整数倍に倍圧する倍電圧回路(5)と、ソース(S)同士が接続されて逆直列に接続されるとともに、ゲート(G)同士が接続された2つのMOSFET(6、7)を含むリレー回路(4)とを備え、倍電圧回路(5)で電圧が倍圧された信号により2つのMOSFET(6、7)のゲート(G)を導通させることによって、該2つのMOSFET(6、7)を双方向にオン・オフ動作させる。
申请公布号 JPWO2012169401(A1) 申请公布日期 2015.02.23
申请号 JP20130519452 申请日期 2012.05.30
申请人 オプテックス株式会社 发明人 村田 康人
分类号 H03K17/687 主分类号 H03K17/687
代理机构 代理人
主权项
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