发明名称 成长于矽基板上具低缺陷N型层之发光二极体
摘要
申请公布号 TWI474508 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW101120370 申请日期 2012.06.07
申请人 东芝股份有限公司 发明人 陈振
分类号 H01L33/02;H01L33/04;H01L33/12 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种制造一发光二极体(LED)装置之方法,包括:(a)在一矽基板上形成一缓冲层,然后在该缓冲层上形成一样板层;(b)在该样板层上直接形成一超晶格结构,其中该超晶格结构包括复数个周期,并且其中该超晶格结构的每一周期都包括一氮化镓铝子层以及一氮化镓子层;(c)直接在该超晶格结构之上形成一n型层;(d)在该n型层之上形成一主动层,其中该主动层包括一些铟;(e)在该主动层之上形成一p型层,使得该矽基板、缓冲层、样板层、超晶格结构、该n型层、该主动层以及该p型层形成一第一结构;(f)将一导电载体接合至该第一结构,藉此形成一第二结构;以及(g)从该第二结构移除该矽基板,藉此形成一第三结构。
地址 日本