| 主权项 |
一种使用耦合通道的反熔丝记忆体，包括：一基底；一第二导电型的一第一掺杂区，设置于该基底中；一反熔丝闸极，设置于该基底上；一反熔丝层，设置于该反熔丝闸极与该基底之间；一耦合闸极，设置于该第一掺杂区与该反熔丝闸极之间的该基底上，该耦合闸极与该反熔丝闸极间隔一间隙；以及一闸极介电层，设置于该耦合闸极与该基底之间，其中于该耦合闸极及该反熔丝闸极施加电压以产生一边缘电场效应，藉由该边缘电场效应于该反熔丝闸极与该耦合闸极之间的该基底中形成感应电荷，并形成一反转通道，其中该基底为一第一导电型，且一耦合通道由该反熔丝闸极与该耦合闸极之间的该基底构成。 |
