发明名称 覆晶封装结构及其形成方法
摘要
申请公布号 TWI474451 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW100133133 申请日期 2011.09.15
申请人 南茂科技股份有限公司 发明人 刘安鸿;刘宏信;杨佳达;黄祺家;李宜璋;黄祥铭
分类号 H01L23/488;H01L21/60 主分类号 H01L23/488
代理机构 代理人 陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼
主权项 一种覆晶封装结构,包含:一基板,其上形成有一电路层;一晶片,具有一中央区域及位于该中央区域两侧之二边缘区域;一凸块结构,系面对该基板设置于该晶片之该中央区域;以及一阻焊层(solder resist),系设置于该基板之四边角,且部分覆盖该电路层;其中,当该晶片设置于该基板上时,该晶片系藉由该凸块结构与该基板电性连接,且该阻焊层适可与该晶片之该二边缘区域接触,以与该凸块结构共同支撑该晶片。
地址 新竹县宝山乡新竹科学工业园区研发一路1号