藉由原子层沈积以形成半导体材料之系统及方法

主权项

一种沈积一半导体材料之方法，其包括：提供一歧管，该歧管包括经组态以引导一或多种气体之复数个实质上对准之气柱；分解包括至少一III族元素之一气体以产生一III族元素前驱体；其中分解该气体包含在一连接至该复数个实质上对准之一第一气柱的热化气体注入器中热化该气体；使该III族元素前驱体流过该复数个实质上对准之气柱之该第一气柱；使一V族元素前驱体流过复数个实质上对准之气柱之一第二气柱；利用用于相对于该歧管移动一基板的至少一总成，建立该基板相对于该复数个实质上对准之气柱之移动；及使该基板之一表面循序地曝露于该III族元素前驱体及该V族元素前驱体以形成一III-V族半导体材料。