| 主权项 |
一种用于拉伸具有直径保持不变之区段之由矽构成之单晶的方法，包含：提供一第一加热源，该第一加热源系提供热量给该单晶及熔体与该单晶邻接的区域，且系安置在该熔体上方；提供一第二加热源，该第二加热源系围绕一坩埚安置；以一单位为[毫米/分钟]之预定的期望拉伸速率vp拉伸该单晶，其中为了无扰动的情况，系选择vp的预定曲线、该第一加热源的加热功率的预定曲线以及该第二加热源的加热功率的预定曲线，从而使得在生长的单晶与该熔体之间的相介面处的结晶速率v与轴向温度梯度G的商数v/G对应于一个临界值，在该临界值时不会过量形成空缺和矽原子间隙；以及以用一不长于(2×18毫米)/vp的周期T校正直径波动的方式，藉由调节该第一加热源的加热功率，来调节该直径保持不变之区段内之单晶的直径至一预定的期望直径，其中若偏差在一长时段内持续存在，则使用该第二加热源的加热功率作为用于后期的操纵变数，以修正该第一加热源的加热功率相对于预定曲线的偏差。 |
