| 发明名称 | EPI制程以新式应用低压架构用于双向高压ESD防护之双载子电晶体 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI474482 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
| 申请号 | TW101142564 | 申请日期 | 2012.11.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 陈信良;杜硕伦 |
| 分类号 | H01L29/73;H01L23/60 | 主分类号 | H01L29/73 |
| 代理机构 | 代理人 | 蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼 | |
| 主权项 | 一种双向双载子电晶体(BJT)，包括：一p型基底；一N+掺杂埋层，其被沈积为邻接于该基板；一第一P型阱区，其被沈积为邻接于该N+掺杂埋层；一第二P型阱区，其被沈积为相邻于该N+掺杂埋层；以及一N型阱区域，其相邻于该N+掺杂埋层且围绕该第一与第二P型阱区，使得该N型阱区域的至少一部分是介于该第一与第二P型阱区之间；其中该第一与第二P型阱中的每一个都包括至少一N+掺杂板与至少一P+掺杂的板。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||