发明名称 制造半导体之设备
摘要
申请公布号 TWI474422 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW101126742 申请日期 2012.07.25
申请人 尤金科技有限公司 发明人 金荣大;玄俊镇;禹相浩;申承佑;金海元
分类号 H01L21/67 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 陈传岳 台北市大安区仁爱路3段136号13楼;郭雨岚 台北市大安区仁爱路3段136号13楼
主权项 一种制造一半导体之设备,该设备包含:批次型的一清洁室,在其中于复数基板上执行一清洁制程;一磊晶室,在其中执行于每一该等基板上形成一磊晶层的一磊晶制程;一缓冲室,包含一基板固定器,该基板固定器包括其上可堆叠该等基板的一堆叠空间,该堆叠空间包括一第一储存空间与一第二储存空间,该第一储存空间内可堆叠已完成该清洁制程的该等基板,该第二储存空间内可堆叠已分别形成有该磊晶层的该等基板;以及一传送室,其侧表面与该清洁室、该缓冲室以及该磊晶室连接,该传送室包含一基板处置器,用于将其上已完成该清洁制程的该等基板传送至该磊晶室内,其中该基板处置器:连续地将其上已完成该清洁制程的该等基板传送至该缓冲室内,将已堆叠于该缓冲室内的该等基板传送至该该磊晶室内,以及连续地将已分别形成有该磊晶层的该等基板传送至该缓冲室内。
地址 南韩
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