发明名称 具有孔隙之磊晶结构及其成长方法
摘要
申请公布号 TWI474510 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW101124450 申请日期 2012.07.06
申请人 隆达电子股份有限公司 发明人 陈俊荣;周秀玫;叶昭呈
分类号 H01L33/02 主分类号 H01L33/02
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种具孔隙结构之磊晶成长方法,包含:提供一基材;形成一牺牲层于该基材上;图案化该牺牲层,并在该基材上形成复数间隔排列之凸起物,并且裸露出该些凸起物间之基材表面;在该裸露出之基材上磊晶成长一第一磊晶层,使该第一磊晶层覆盖该些凸起物之一部分,并露出每一该凸起物之顶面;蚀刻移除该些凸起物,形成复数露出该基材表面之孔隙;以及在该第一磊晶层上磊晶成长一第二磊晶层,使该些孔隙被该第一磊晶层及该第二磊晶层包覆。
地址 新竹市科学园区工业东三路3号