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经营范围
发明名称
具有孔隙之磊晶结构及其成长方法
摘要
申请公布号
TWI474510
申请公布日期
2015.02.21
申请号
TW101124450
申请日期
2012.07.06
申请人
隆达电子股份有限公司
发明人
陈俊荣;周秀玫;叶昭呈
分类号
H01L33/02
主分类号
H01L33/02
代理机构
代理人
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
一种具孔隙结构之磊晶成长方法,包含:提供一基材;形成一牺牲层于该基材上;图案化该牺牲层,并在该基材上形成复数间隔排列之凸起物,并且裸露出该些凸起物间之基材表面;在该裸露出之基材上磊晶成长一第一磊晶层,使该第一磊晶层覆盖该些凸起物之一部分,并露出每一该凸起物之顶面;蚀刻移除该些凸起物,形成复数露出该基材表面之孔隙;以及在该第一磊晶层上磊晶成长一第二磊晶层,使该些孔隙被该第一磊晶层及该第二磊晶层包覆。
地址
新竹市科学园区工业东三路3号
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