发明名称 | 高增益常数β双极性接面电晶体及其制造方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI474481 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
申请号 | TW099100825 | 申请日期 | 2010.01.13 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 林正基;杜硕伦;连士进 |
分类号 | H01L29/73;H01L21/331 | 主分类号 | H01L29/73 |
代理机构 | 代理人 | 祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼 | |
主权项 | 一种双极性接面电晶体结构,包括:一基板,具有一第一井,该第一井设置于该基板中且具有一第一深度,该第一井具有一第一导电态;一第二井,具有该第一导电态,该第二井设置于该第一井中并与该第一井接触,且该第二井具有一第二深度,该第二深度系小于该第一深度,该第二井掺杂高于该第一井之一浓度,该第二井环绕部分或全部之该第一井之中心区域;一第三井,具有一第二导电态,该第三井设置于该第一井中,该第三井填满该第二井内部之一区域;以及一掺杂层,具有该第一导电态,该掺杂层系位于该第三井之一上部且具有低于该第二深度之一厚度,该掺杂层之一上表面系对准该第二井之该上表面;一射极区,具有该第一导电态与一矩形形状,该射极区设置于该掺杂层之一中心部分;一基极区,具有该第二导电态及一矩形环之形状,该基极区系与该射极区分离及同中心;以及一集极区,具有该第一导电态及一矩形环之形状,该集极区系与该基极区分离及同中心。 | ||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |