| 发明名称 | 等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI474395 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
| 申请号 | TW100149978 | 申请日期 | 2011.12.30 |
| 申请人 | 中微半导体设备（上海）有限公司 | 发明人 | 倪图强;欧阳亮;吴狄;陶铮;松尾裕史 |
| 分类号 | H01L21/3065;H01L21/205 | 主分类号 | H01L21/3065 |
| 代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
| 主权项 | 一种等离子体处理装置，包括：真空处理腔室；第一电极，位于该真空处理腔室内，该第一电极上方安装有放置待处理晶圆的平台，该第一电极与两个射频电源电连接，其中该第一射频电源大于该第二射频电源频率的1.5倍；非电介质材料层，位于该第一电极与该放置待处理晶圆的平台之间，该非电介质材料层的电阻率大于该第一电极的电阻率。 | ||
| 地址 | 中国 | ||