具有穿透基板互连之微电子装置及相关制造方法

主权项

一种半导体装置，其包含：半导体基板；第一金属化层及第二金属化层，该第二金属化层与该半导体基板间隔开，其中该第一金属化层位于其间；及导电互连，其至少部分延伸穿透该半导体基板，其中该导电互连包括第一端及与该第一端相对之第二端，其中该第二金属化层包括大致对应于该导电互连之第一部分及自该第一部分横向延伸之第二部分，其中该导电互连之第一端包括横向延伸至该第二金属化层之第一部分的横向部分，其中该导电互连的第一端电耦合至该第二金属化层之第一部分且与其直接接触；且其中该第一金属化层系经由该第二金属化层与该导电互连电接触。