发明名称 光罩基板,其加工方法及蚀刻方法
摘要
申请公布号 TWI474102 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW099109324 申请日期 2010.03.26
申请人 信越化学工业股份有限公司 发明人 渡边聪;金子英雄;小板桥龙二;五十岚慎一;河合义夫;白井省三
分类号 G03F1/80;G03F7/40;H01L21/3065 主分类号 G03F1/80
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种光罩基板,其系在透明基板上形成以1或2以上之层所构成的膜,该膜之最表层为铬系材料所构成,且该最表层上设置乾蚀刻用之蚀刻光罩膜的光罩基板,其特征系上述蚀刻光罩膜为使用含有下述(A)~(C)之氧化矽系材料膜形成用组成物形成膜之膜厚1~5nm的氧化矽系材料膜,(A)水解性矽烷化合物之水解缩合物为以矽为基准含有70%以上之下述一般式(3)表示之化合物的水解性矽烷化合物之单体或2种以上的混合物,RnSiX4-n(3)式中,R系氢原子或碳数1~12之脂肪族烃基或芳香族烃基,X系碳数1~4之烷氧基、卤素原子、或碳数2~5之烷基羰氧基,n系0或1,(B)下述一般式(2)MA (2)式中,M系三级鋶或四级铵,A系非亲核性相对离子所表示的化合物及(C)有机溶剂。
地址 日本