发明名称 |
薄膜电晶体及其制作方法及显示器 |
摘要 |
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申请公布号 |
TWI474409 |
申请公布日期 |
2015.02.21 |
申请号 |
TW101104634 |
申请日期 |
2012.02.14 |
申请人 |
群康科技(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司 |
发明人 |
李冠锋 |
分类号 |
H01L21/336;H01L29/786;H01L21/316;H01L21/324;G02F1/1368;H01L27/32 |
主分类号 |
H01L21/336 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
一种薄膜电晶体的制作方法,包括:提供一基板;于该基板上形成一闸极以及一闸绝缘层覆盖该闸极;于该闸绝缘层上形成一主动层,其中该主动层位于该闸极上方;于该闸绝缘层上形成一绝缘金属氧化物层覆盖该主动层,其中该绝缘金属氧化物层包含一第一金属的金属氧化物;于该绝缘金属氧化物层上形成一金属层,该金属层系覆盖该主动层,其中该金属层包括一不同于该第一金属的第二金属;于该金属层上形成一源极与一汲极,该源极与该汲极系位于该主动层上且以一沟槽分隔于该闸极之相对两侧,该沟槽暴露出部分该金属层;移除暴露于该沟槽该金属层,以暴露出位于该沟槽之该绝缘金属氧化物层;以及对该金属层与该绝缘金属氧化物层进行一退火制程,以使该金属层与该绝缘金属氧化物层于彼此重叠处产生反应而形成一导电性复合金属氧化物层,其包含该第一金属与该第二金属,其中该导电性复合金属氧化物层系连接该主动层与该源极、以及连接该主动层与该汲极。 |
地址 |
苗栗县竹南镇新竹科学工业园区科学路160号 |