发明名称 记忆元件及记忆装置
摘要
申请公布号 TWI474318 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW100118717 申请日期 2011.05.27
申请人 新力股份有限公司 发明人 大森广之;细见政功;别所和宏;肥后豊;山根一阳;内田裕行
分类号 G11C11/02;G11C11/16 主分类号 G11C11/02
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种记忆元件,其系具有记忆层、磁化方向固定于垂直于膜面之方向之磁化固定层、及配置于上述记忆层及上述磁化固定层之间之非磁性中间层;该记忆层系包含:磁化方向系垂直于膜面之方向之垂直磁化层;非磁性层;及于膜面内方向具有易磁化轴且磁化之方向系自垂直于膜面之方向以15度以上且45度以下之角度倾斜之强磁性层;且系使上述垂直磁化层与上述强磁性层介隔上述非磁性层而积层,而使上述垂直磁化层与上述强磁性层磁性结合而成之利用磁性体之磁化状态保持资讯者;且该记忆元件系利用于各层之积层方向流动电流而进行资讯之记录。
地址 日本