发明名称 散热型半导体封装结构及其制法
摘要
申请公布号 TWI474445 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW097143613 申请日期 2008.11.12
申请人 矽品精密工业股份有限公司 发明人 洪敏顺;蔡和易;黄建屏
分类号 H01L23/34;H01L23/28;H01L21/50 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼
主权项 一种散热型半导体封装结构之制法,其至少包括:提供一晶片承载件,以在该晶片承载件上接置并电性连接至少一半导体晶片;提供一具有第一表面及第二表面之散热件,于该散热件之第二表面形成黑化层,并于该散热件之黑化层上形成一应力缓冲层,且该应力缓冲层位于该半导体晶片与该黑化层之间,而该应力缓冲层未接触该半导体晶片,令该散热件接置于该晶片承载件上;以及进行封装模压作业,以于该晶片承载件上形成包覆该半导体晶片、应力缓冲层及散热件之封装胶体。
地址 台中市潭子区大丰路3段123号