| 主权项 |
一种用于半导体制造之植入方法，其包含以下步骤：a.建立一CnHm蒸汽或气体流，其中n及m系整数，使得n>1且m0；b.将该蒸汽或气体引入于一离子植入器之离子源中；c.将该蒸汽或气体离子化以形成CnHx+之离子，其中x系一正整数或零；d.将该等离子加速至一n或p型矽基板内之一深度RP；e.将AnRzHx+形式之一掺杂物离子植入至一矽深度R'p<RP，其定义一掺杂矽基板，其中A系一矽内n或p型掺杂物，其选自As、P、B、In或Sb之群组，且其中R表示一分子，其原子成分对矽电晶体形成程序无害，例如Si、Ge、F或C，并且n、x及z系大于或等于零之正整数；f.采用一热处理活化该掺杂矽基板，以补正由该掺杂物离子之植入所导致的缺陷。 |
