发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI474408 申请公布日期 2015.02.21
申请号 TW100118209 申请日期 2009.12.17
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;坂田淳一郎;小山润
分类号 H01L21/336;G09G3/20 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种主动矩阵显示装置,包含:一基底;一像素,包含:一第一电晶体;一像素电极,与该第一电晶体电连接;以及一发光层,在该像素电极上;一扫描线驱动器电路,可操作地连接至该像素,该扫描线驱动器电路包含一第二电晶体,各该第一电晶体及该第二电晶体包含:一闸极电极,在该基底上;一闸极绝缘层,在该闸极电极上;以及一氧化物半导体层,在该闸极电极上具有一通道形成区,以该闸极绝缘层插置于其间;一绝缘层,在该氧化物半导体层上,其中,该第一电晶体的该氧化物半导体层薄于该第二电晶体的该氧化物半导体层。
地址 日本