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一种镀覆一用于连接至少两个积体电路之直通矽穿孔的方法，该方法包含：提供具有一直通矽穿孔之孔之一结构，该结构包含在该直通矽穿孔之孔之中的一晶种层；使用从由水、一稀释酸性溶液、一稀释硷性溶液、一包含界面活性剂的溶液及该镀覆溶液所组成之群组中选择出一种或多种液体用以预处理该晶种层；使已预处理之该晶种层与一镀覆溶液接触，该镀覆溶液具有浓度为至少约40公克/公升之铜离子；及在已预处理之该晶种层与该镀覆溶液接触之同时，以一实质上无空隙之方式将铜镀覆至该直通矽穿孔之孔中以完全填充该直通矽穿孔之孔，其中，在镀覆期间，在该直通矽穿孔之孔之底部的一沉积速率系高于在该直通矽穿孔之孔之开口附近的一沉积速率。 |
