发明名称 | 等离子处理装置的等离子处理方法 | ||
摘要 | |||
申请公布号 | TWI474364 | 申请公布日期 | 2015.02.21 |
申请号 | TW102137388 | 申请日期 | 2013.10.16 |
申请人 | 中微半导体设备(上海)有限公司 | 发明人 | 徐蕾;倪图强;席朝晖 |
分类号 | H01J37/305 | 主分类号 | H01J37/305 |
代理机构 | 代理人 | 林志青 台北市信义区松隆路102号18楼之1 | |
主权项 | 一种等离子处理装置的等离子处理方法,所述等离子处理装置包括一个反应腔,所述反应腔内包括一个基座,所述基座上固定待处理基片,还包括一个具有第一射频频率输出的第一射频功率源和一个具有第二射频频率输出的第二射频功率源施加射频电场到所述反应腔内,所述处理方法包括:匹配频率获取步骤和脉冲处理步骤,所述匹配频率获取步骤包括:所述第一射频功率源施加高功率的射频电场到所述反应腔,同时所述第二射频功率源施加的高功率射频电场,调谐所述第一射频功率源的输出频率,获得使所述第一射频功率源具有最小反射功率的第一匹配频率;所述第一射频功率源施加高功率的射频电场到所述反应腔,同时所述第二射频功率源施加的低功率射频电场,调谐所述第一射频功率源的输出频率,获得使所述第一射频功率源具有最小反射功率的第二匹配频率;所述脉冲处理步骤中所述第一射频功率源施加高功率的射频电场到所述反应腔,所述第二射频功率源施加到反应腔内的射频电场的功率在高功率和低功率之间切换,所述第一射频功率源的输出频率同步的在第一匹配频率和第二匹配频率之间切换。 | ||
地址 | 中国 |